Prošlog srpnja, Samsung i IBM su objavili da su razvili novi proces proizvodnje trajnog RAM-a, nazvanog MRAM, koji je i do 100.000 puta brži od NAND bljeskalice . Pa, ako se izvješćima vjeruje, južnokorejski div će otkriti MRAM memoriju sljedećeg mjeseca na svom događanju u Foruma livnica.
MRAM označava magnetoresistive RAM i proizvodi se pomoću tehnologije prijenosa zakretnog momenta. To će u konačnici dovesti do memorijskih čipova malog kapaciteta za mobilne uređaje koji trenutno koriste NAND flash za pohranu podataka.
Ovaj STT-MRAM će trošiti manje energije kada je uključen i pohranjuje informacije. Kada RAM nije aktivan, neće koristiti nikakvu snagu jer je memorija nepromjenjiva. Dakle, očekuje se da će ovaj MRAM proizvođači koristiti za aplikacije s malom potrošnjom energije .
Prema Samsungu, troškovi proizvodnje ugrađenog DRAM-a jeftiniji su od onih u flash memoriji. Unatoč MRAM-ovoj manjoj veličini, brzina je i brža od normalnih flash memorija. Nažalost, Samsung trenutno ne može proizvesti više od nekoliko megabajta memorije. U sadašnjem stanju, MRAM je dovoljno dobar da se koristi kao keš memorija za procesore aplikacija.
Događaj Samsungovog Foundry Foruma održat će se 24. svibnja, a nadamo se da ćemo dobiti više detalja o Samsungovom nadolazećem MRAM-u. Objavljeno je da je Samsungov poslovni odjel LSI-a izradio prototip SoC-a koji ima ugrađen MRAM, što je također vjerojatno da će biti predstavljeno na istom događaju.
